-
1 tiegelfreies Zonenschmelzverfahren
метод бестигельной зонной плавки, бестигельная зонная плавкаDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > tiegelfreies Zonenschmelzverfahren
-
2 tiegelfreies Zonenschwebeverfahren
метод бестигельной зонной плавки, бестигельная зонная плавкаDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > tiegelfreies Zonenschwebeverfahren
-
3 Zonen-Floating-Verfahren
сущ.микроэл. бестигельная зонная плавка, метод бестигельной зонной перекристаллизации, метод бестигельной зонной плавкиУниверсальный немецко-русский словарь > Zonen-Floating-Verfahren
-
4 tiegelfreies Zonenschmelzen
прил.1) электр. бестигельная зонная плавка2) микроэл. бестигельная плавка, зонная бестигельная плавка, метод бестигельной зонной перекристаллизации, метод бестигельной зонной плавкиУниверсальный немецко-русский словарь > tiegelfreies Zonenschmelzen
-
5 Floating-Zone-Verfahren
сущ.микроэл. метод бестигельной зонной плавкиУниверсальный немецко-русский словарь > Floating-Zone-Verfahren
-
6 tiegelfreies Zonenschmelzverfahren
Универсальный немецко-русский словарь > tiegelfreies Zonenschmelzverfahren
-
7 Floating-Zone-Verfahren
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Floating-Zone-Verfahren
-
8 tiegelfreies Zonenschmelzen
бестигельная зонная плавка, метод бестигельной зонной плавкиDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > tiegelfreies Zonenschmelzen
-
9 Zonen-Floating-Verfahren
nметод бестигельной зонной плавки, бестигельная зонная плавкаDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Zonen-Floating-Verfahren
-
10 float-zone process
1) Электроника: метод зонной плавки, технология зонной плавки2) Солнечная энергия: процесс бестигельной зонной плавки -
11 plasma metallurgy
плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см2, когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > plasma metallurgy
-
12 floating zone refining
метод плавающих зон; бестигельная зонная плавка; бестигельная зонная перекристаллизация; метод бестигельной перекристаллизацииEnglish-Russian dictionary on nuclear energy > floating zone refining
-
13 floating zone member
вертикальный вариант зонной плавки; бестигельная зонная плавка; метод плавающих зон; бестигельная зонная перекристаллизация; метод бестигельной перекристаллизацииEnglish-Russian dictionary on nuclear energy > floating zone member
См. также в других словарях:
Метод Чохральского — Схема метода Чохральского Метод Чохральского метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма распла … Википедия
зонная плавка — (зонная кристаллизация), процесс глубокой очистки вещества в технологии полупроводниковых материалов. Зонная плавка осуществляется расплавлением небольшого участка (зоны) или нескольких участков твёрдого слитка и последовательным их перемещением… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
полупроводниковые материалы — полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. Используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (например, легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых… … Энциклопедический словарь
Зонная плавка — зонная перекристаллизация, кристаллофизический метод рафинирования материалов, который состоит в перемещении узкой расплавленной зоны вдоль длинного твёрдого стержня из рафинируемого материала. З. п. можно подвергать почти все технически… … Большая советская энциклопедия
Бестигельная зонная плавка — Бестигельная зонная плавка метод получения кристаллов из малого объёма расплава, формально являющийся разновидностью зонной плавки, не использующей тигля или иного контейнера. Фактически отсутствие контейнера приводит к необходимости… … Википедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп р, включающем комнатную темп ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов. Все П. м. можно разбить на неск. групп. 1)… … Физическая энциклопедия
Кристаллический кремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в… … Википедия
Монокристаллический кремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в виде… … Википедия
Мультикремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в виде… … Википедия
плазменная металлургия — Неорганич. полупроводниковых вещ в и материалов и изделий из них с задан. св вами. Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940 х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ в и… … Справочник технического переводчика